專利名稱：碳化硅陶瓷分離及其制備方法

專利號(hào)：201911079133.1

行業(yè)分類：C 化學(xué)；冶金

法律狀態(tài)：實(shí)審

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本專利技術(shù)提供一種碳化硅陶瓷分離膜及其制備方法，碳化硅陶瓷分離膜中的碳化硅膜層與基體的結(jié)合力強(qiáng)，且碳化硅膜層的硬度高，分離膜包括多孔氧化物陶瓷基體及碳化硅膜，碳化硅膜設(shè)置在所述多孔氧化物陶瓷基體的表面，碳化硅膜為開(kāi)口多孔結(jié)構(gòu)，多孔氧化物陶瓷基體包括但不限于平板式多孔陶瓷、碟式多孔陶瓷、管狀多孔氧化物陶瓷、中空纖維狀氧化物陶瓷。

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【專利技術(shù)優(yōu)勢(shì)】

1. 本專利技術(shù)提供的碳化硅陶瓷分離膜孔徑及孔徑分布可以通過(guò)多孔氧化物陶瓷基體以及包含過(guò)渡膜層的基體的孔徑及孔徑分布進(jìn)行調(diào)節(jié)；易于制得孔徑小于100nm的碳化硅陶瓷分離膜；

2. 本發(fā)明通過(guò)將物理氣相沉積在基體上形成的碳化硅膜層放入真空或惰性氣氛進(jìn)行熱處理，可避免碳化硅膜出現(xiàn)氧化，使得碳化硅膜層從無(wú)定型生長(zhǎng)成為晶體，從而提高碳化硅膜層與基體的結(jié)合強(qiáng)度。

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【應(yīng)用場(chǎng)景及市場(chǎng)前景】